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产品介绍 产品特点 应用领域 技术参数
Pheda1412-5G
X射线动态平板探测器
Pheda1412-5G X 射线动态平板探测器采用CMOS 工艺技术，具有高速、高分辨率和低剂量成像的特点，可广泛应用牙科成像等医疗影像领域。
探测器配备标准的 GigE Vision 协议，使用户获取数据更加便捷。探测器集成了专用 5G 处理模块，可实现原生分辨率下的高帧速率图像传输。其采用国际先进的针状 CsI 闪烁体，满足用最小的放射剂量获得更清晰图像的需求。
产品特点
100μm像素尺寸
1404×1204像素矩阵
20 kGy长辐照寿命
应用领域
- 电子部件检测
- 显微CT
- 锂电池检测
- 铸造件检测
- 汽车、航天、电子制造质量控制
电子部件检测
显微CT
锂电池检测
铸造件检测
汽车、航天、电子制造质量控制
技术参数
传感器
类型
CMOS
像素尺寸
100µm
像素矩阵
1404×1204
有效面积
140.4×120.4mm²
闪烁体
CsI
辐照寿命
20kGy
能量范围
40kV～160kV
功能
采集模式
连续触发/触发模式
触发模式
内触发/外触发
ROI
自定义任意尺寸
其他
接口
RJ45 (以太网协议接口)
电源
DC12V±10%
功耗
≤15W
使用环境
+10ºC~+40ºC
存储环境
-20ºC~+60ºC
产品比较
比较
型号 类型 像素尺寸 像素矩阵 有效面积 帧速率 闪烁体 辐照寿命 能量范围 采集模式 触发模式 ROI 接口 电源 功耗 使用环境 存储环境 重量 外型尺寸(W×L×H)
Pheda3030 CMOS 100μm 3000×3000 300×300mm² CsI 40kV～160kV 连续触发/触发模式 内触发/外触发 自定义任意尺寸 DC24V±10%
Pheda1613D a-Si(TFT) 125μm 1274×1024 160×128mm²（6×5in） CsI 20kGy 40kV~230kV 连续触发/触发模式 内触发/外触发 自定义任意尺寸 RJ45 (以太网协议接口) DC24V±10% ≤12W +5ºC~+35ºC -20ºC~+60ºC
Pheda1512 CMOS 100µm 1440×1120 144.0×112.0mm² CsI/GOS 20kGy 40kV～160kV 连续触发/触发模式 内触发/外触发 自定义任意尺寸 RJ45 (以太网协议接口) DC12V±10% ≤10W +10ºC~+40ºC -20ºC~+60ºC
Pheda1412 CMOS 100µm 1404×1204 140.4×120.4mm² CsI/GOS 20kGy 40kV～160kV 连续触发/触发模式 内触发/外触发 自定义任意尺寸 RJ45 (以太网协议接口) DC12V±10% ≤10W +10ºC~+40ºC -20ºC~+60ºC
Pheda0606A CMOS 49.5μm 1172×1260 58.0×62.4 mm2 CsI 10kGy 40kV~160kV 连续触发/触发模式 内触发/外触发 自定义任意尺寸 RJ45（以太网协议接口） DC12V±10% ≤4W +10ºC~+40ºC -20ºC~+55ºC
Pheda1313 CMOS 100µm 1280×1280 128.0×128.0mm² CsI/GOS 20kGy 40kV~160kV 连续触发/触发模式 内触发/外触发 自定义任意尺寸 RJ45 (以太网协议接口) DC12V±10% ≤10W +10ºC~+40ºC -20ºC~+60ºC
Pheda1215A CMOS 49.5μm 2940×2342 145.5×115.9 mm2 CsI 10kGy 40kV~160kV 连续触发/触发模式 内触发/外触发 自定义任意尺寸 RJ45 (以太网协议接口) DC12V±10% ≤6W +10ºC~+40ºC -20ºC~+60ºC
比较
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